台積電在近將年可謂是在晶片界愈創愈勇，據最新消息指，其已在 2nm 工藝上取得一項重大的內部突破，更有指最快 2023 年就能步入量產階段，並在其後繼續研發 1nm 工藝。
據報導，台積電已在 2nm 工藝上取得一項重大的內部突破，其放棄延續多年的 FinFET，甚至不使用 GAAFET，即納米線（nanowire），而是將其拓展成為 MBCFET 納米片（nanosheet），大大改進電路控制，降低漏電率。台積電並無公佈研發 2nm 製程所需研發成本，但根據 Samsung 在研發 5nm 製程時公佈的 4.8 億美元（約港幣 37 億元），實際應大大超出此數字。
據市場估計，其 2nm 工藝有望在 2023 年下半年進行風險性試產，並在 2024 年步入量產階段。對此，台積電表示，2nm 的突破將再次拉大與競爭對手的差距，並在其後繼續研發 1nm 工藝。台積電預計，Apple、Qualcomm、NVIDIA、AMD 等都有望率先採用其 2nm 工藝。
資料來源：cnbeta
來源 source: http://unwire.hk
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