高盛最新報告顯示，中國在半導體製造關鍵環節的曝光技術研發上，至少落後國際同業 20 年。報告指出，曝光技術除了是半導體製造的多個重要環節，更是阻礙中國生產高階晶片的唯一瓶頸。
荷蘭 ASML 公司製造的先進曝光機，特別是極紫外光（EUV）及高數值孔徑 EUV 曝光機，能在矽晶圓上建構極微小的電路圖案，大幅提升晶片效能。然而這些尖端裝置的供應，正是中國的痛點。
美國制裁影響供應鏈
由於 ASML 曝光機高度依賴美國原產的零組件，美國政府因此能利用其影響力限制向中國銷售。這項禁令對中國科技產業造成深遠影響，例如華為因與軍方有聯繫而遭美國政府制裁，無法從台積電（TSMC）獲取晶片，被迫轉向國內的中芯國際（SMIC）尋求支援。
中芯國際同樣面臨採購 EUV 晶片製造曝光機的限制，令中國企業目前在晶片製造上最高只能達到 7nm 水平。即使中芯國際能生產 7nm 製程晶片，這些晶片極可能仍是透過 ASML 較舊的深紫外光（DUV）曝光機製造，因為中國尚不具備製造先進曝光機的能力。
技術差距巨大
高盛的分析明確指出，曝光技術在晶圓上建構精細電路發揮關鍵作用，使其成為晶片製造流程的決定性瓶頸。全球領先的晶片製造商如 TSMC，已能大規模生產 3nm 晶片，並積極準備進軍 2nm 技術。反觀中國國內的曝光裝置製造商，技術水平仍停留在相對陳舊的 65nm 製程。
根據業界預測，中芯國際有望在 2025 年完成 5nm 製程的開發，但其成本將比 TSMC 使用 EUV 技術生產的晶圓高出 40% 至 50%。這個顯著的價格溢價，反映了使用 DUV 裝置生產先進製程時所需的額外處理步驟和複雜性。
投資規模龐大
高盛報告引述數據強調，ASML 為從 65nm 技術躍升至低於 3nm 的曝光能力，歷經 20 年時間，投入了高達 400 億美元（約港幣 3,120 億元）的研發與資本支出。另有報告指出，中國到 2035 年需新增 2,261 台曝光系統（包含 212 台 EUV）才能滿足全部本土晶片需求，對應的研發與資本支出或高達 400 億美元。
綜合考量中國目前的技術水平、所需的龐大投入，以及全球供應鏈的複雜依賴性，高盛悲觀預測中國企業在短期內趕上西方先進技術的可能性「微乎其微」。這無疑為中國期望在高階晶片領域達成自給自足的目標，設下巨大障礙。
來源：wccfTech
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